石英晶體諧振器
一、術(shù)語解釋
1、 標(biāo)稱頻率：晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率，通常標(biāo)識在產(chǎn)品外殼上。
2、 工作頻率：晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。
3、 調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。 4、 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時工作頻率的允許偏差。
5、 老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為年老化率。
6、 靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。
7、 負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。負(fù)載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。只要可能就應(yīng)選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
8、 負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為


電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時，負(fù)載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負(fù)載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。
9、 動態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
10、 負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示?！L＝R1（1+C0/CL）2 11、 激勵電平：晶體工作時所消耗功率的表征值。激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
12、 基頻：在振動模式階次的振動頻率。
13、 泛音：晶體振動的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
二、應(yīng)用指南 石英晶體諧振器根據(jù)其外型結(jié)構(gòu)不同可分為HC-49U、HC-49U/S、HC-49U/S?SMD、UM-1、UM-5及柱狀晶體等。
　　HC-49U適用于具有寬闊空間的電子產(chǎn)品如通信設(shè)備、電視機(jī)、電話機(jī)、電子玩具中。
　　HC-49U/S適用于空間高度受到限制的各類薄型、小型電子設(shè)備及產(chǎn)品中。
　　HC-49U/S?SMD為準(zhǔn)表面貼裝型產(chǎn)品，適用于各類超薄型、小型電腦及電子設(shè)備中。
　　柱狀石英晶體諧振器適用于空間狹小的穩(wěn)頻計時電子產(chǎn)品如計時器、電子鐘、計算器等。
　　UM系列產(chǎn)品主要應(yīng)用于移動通訊產(chǎn)品中，如BP機(jī)、移動手機(jī)等。
　　石英晶體諧振器主要用于頻率控制和頻率選擇電路。本指南有助于確保不出現(xiàn)性能不滿意、成本不合適及可用性不良等現(xiàn)象。
1、 振動模式與頻率關(guān)系：
　　　　　　　　　　　　　　　　　基頻 　 1～35MHz
　　　　　　　　　　　　　　　　　3次泛音 10～75MHz
　　　　　　　　　　　　　　　　　5次泛音 50～150MHz
　　　　　　　　　　　　　　　　　7次泛音 100～200MHz
　　　　　　　　　　　　　　　　　9次泛音 150～250MHz


2、 晶體電阻：對于同一頻率，當(dāng)工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。 "信號源+電平表"功能由網(wǎng)絡(luò)分析儀完成
　　Ri、R0：儀器內(nèi)阻：一般為50Ω
　　R1--濾波器輸入端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。
　　R2--濾波器輸出端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。

　 3、 工作溫度范圍與溫度頻差：在提出溫度頻差時，應(yīng)考慮設(shè)備工作引起的溫升容限。當(dāng)對溫度頻差要求很高，同時空間和功率都允許的情況下，應(yīng)考慮恒溫工作，恒溫晶體振蕩器就是為此而設(shè)計的。
4、 負(fù)載電容與頻率牽引：在許多應(yīng)用中，都有用一負(fù)載電抗元件來牽引晶體頻率的要求，這在鎖相環(huán)回路及調(diào)頻應(yīng)用中非常必要，大多數(shù)情況下，這個負(fù)載電抗呈容性，當(dāng)該電容值為CL時，則相對負(fù)載諧振頻率偏移量為：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作為可調(diào)元件由DL1調(diào)至DL2時，相對頻率牽引為：DL1，L2= C1（CL1－CL2）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。
5、 負(fù)載電容的選擇：晶體工作在基頻時，其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振，在使用負(fù)載電容的地方，其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。
6、 激勵電平的影響：一般來講，AT切晶體激勵電平的增大，其頻率變化是正的。激勵電平過高會引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩；嚴(yán)重?zé)犷l漂；過應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵電平過低時則會造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。
7、 濾波電路中的應(yīng)用：應(yīng)用于濾波電路中時，除通常的規(guī)定外，更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度，由于濾波晶體設(shè)計的特殊性，所以用戶選購時應(yīng)特別說明。