NAND是一種非易失性存儲(chǔ)，斷電后仍能保存數(shù)據(jù)工業(yè)存儲(chǔ)。NAND閃存在MP3播放器、相機(jī)和SSD中很受歡迎。在閃存的早期階段，研究人員在相同尺寸的硅片上增加了兩個(gè)維度的密度，同時(shí)穩(wěn)步降低了每千兆比特的成本。這是通過(guò)減少數(shù)據(jù)單元的大小來(lái)實(shí)現(xiàn)的。

　　·單層單元(SLC，Single-Level Cell)結(jié)構(gòu)，即每個(gè)單元有一個(gè)bit，其后是多層單元(MLC)和三層單元(TLC)設(shè)計(jì)。但隨著單元的收縮，維持其耐力變得更具挑戰(zhàn)性，性能增長(zhǎng)開(kāi)始放緩，因此其更進(jìn)一步的盈利前景看起來(lái)似乎不太好。

　　·不過(guò)，閃存設(shè)計(jì)從二維進(jìn)步到了三維。3D V-NAND閃存芯片可以使單元層垂直地疊加在一起，使得密度和功耗更低、讀/寫(xiě)速度更快、耐力更強(qiáng)。

　　·3D NAND并不是SSD的創(chuàng)新領(lǐng)域。存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(SCM)是一種新的持久存儲(chǔ)技術(shù)，市場(chǎng)上比較典型的產(chǎn)品有3D XPoint(英特爾)、Z-SSD(三星)等。它有時(shí)也被稱為持續(xù)內(nèi)存(PMEM)。它支持以較小的大小編寫(xiě)數(shù)據(jù)，并促進(jìn)更快、更高效的讀/寫(xiě)過(guò)程。這種內(nèi)存技術(shù)的密度是普通閃存的10倍，比普通閃存快1000倍。

　　·另一個(gè)重要的發(fā)展是非易失性存儲(chǔ)器(NVMe)技術(shù)的出現(xiàn)。NVMe規(guī)范允許SSD使用高速PCIe總線來(lái)減少延遲、提高IOPS以及減少功耗。當(dāng)與雙端口系統(tǒng)結(jié)合時(shí)，NVMe帶來(lái)了橫向擴(kuò)展和縱向擴(kuò)展的企業(yè)SSD架構(gòu)。這將使非易失性的內(nèi)存盡可能地接近處理器，與單個(gè)企業(yè)SATA SSD相比，其速度要快10倍。

　　這種快速、非易失性存儲(chǔ)在某種程度上彌補(bǔ)了RAM和SSD之間的差距，性能價(jià)格比介于兩者之間。它可以像任何其他存儲(chǔ)設(shè)備一樣被操作系統(tǒng)訪問(wèn)，也可以被部署在DIMM槽中，作為內(nèi)存由操作系統(tǒng)訪問(wèn)。

　　Z高容量：SSD VS HDD

　　在很久以前，1 TB HDD的發(fā)布就可以說(shuō)是一個(gè)大新聞了，而且HDD的容量一般比SSD要大。但這種情況很快就發(fā)生了戲劇性的變化。3D NAND SSD容量超過(guò)1 TB(2.5英寸)的現(xiàn)在已經(jīng)很常見(jiàn)了，三星Z近發(fā)布了30 TB的SSD，并發(fā)布了一個(gè)產(chǎn)品路線圖，計(jì)劃在2020年之前發(fā)布100 TB SSD。到那時(shí)，3D NAND將獲得企業(yè)SSD市場(chǎng)的Z大份額。企業(yè)SSD容量每年增加一倍，已超過(guò)了HDD的容量增長(zhǎng)。在順序讀取2000 MB/s、隨機(jī)讀取操中高達(dá)120k的IOPS，這樣的性能如今在NAND和V-NAND技術(shù)中已十分常見(jiàn)。

　　高容量SSD對(duì)許多應(yīng)用程序來(lái)說(shuō)是有意義的，但不是全部。它們對(duì)云應(yīng)用程序很有好處，例如，支持內(nèi)容共享流量的視頻和媒體流，以及活躍的歸檔應(yīng)用程序，在這些應(yīng)用程序中，高度敏感的信息不會(huì)被覆蓋。但是，讀取密集型工作負(fù)載可能需要適當(dāng)大小的持久性，以便為用戶提供數(shù)據(jù)吞吐量的一致性，以確?？焖俳桓队脩粽?qǐng)求的信息。這使得企業(yè)SSD在容量和性能之間達(dá)到平衡的需求越來(lái)越大。