硅片晶圓生產清洗工藝中，使用超聲波清洗機有效去除硅片晶圓表面的有機物、顆粒、金屬雜質、自然氧化層及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破壞晶片表面特性。根據不同清洗工藝配置相應的清洗單元，各部分有獨立控制，隨意組合

1、爐前清洗：擴散前清洗。

2、光刻后清洗：除去光刻膠。

3、氧化前自動清洗：氧化前去掉硅片表面所有的沾污物。

4、拋光后自動清洗：除去切、磨、拋的沾污。

5、外延前清洗：除去埋層擴散后的SiO2及表面污物。

6、合金前、表面鈍化前清洗：除去鋁布線后，表面雜質及光膠殘渣。

7、離子注入后的清洗：除去光刻膠，SiO2層。

8、擴散預淀積后清洗：除去預淀積時的BSG和PSG。

9、CVD后清洗：除去CVD過程中的顆粒。

10、附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物