絕緣子傘套耐漏電及耐電蝕損試驗箱

設(shè)備型號：NLD-AII

滿足標(biāo)準(zhǔn)：

GB/T  20142-2006 標(biāo)稱電壓高于1000V的交流架空線路用線路柱式復(fù)合絕緣子---定義 、試驗方法及接受準(zhǔn)則

GBT 22079-2008 標(biāo)稱電壓高于1000V使用的戶內(nèi)和戶外聚合物絕緣子 一般定義、試驗方法和接受準(zhǔn)則

試驗原理：

在一個封閉的鹽霧室內(nèi)，水平和垂直各放置一個絕緣子，對絕緣子施加工頻高壓，長期運行1000小時，判斷工頻高壓及鹽霧室對絕緣子的蝕損程度，及絕緣子的耐漏電概況，從而判斷絕緣子是否合格。

設(shè)備組成：

高壓發(fā)生器：主要由調(diào)壓器和變壓器組成，主要作用是升壓和降壓

霧化試驗箱：主要由霧化室和超聲波霧化器組成，在霧化室內(nèi)，由超聲波霧化器產(chǎn)生規(guī)定流量的霧化顆粒后，附著在絕緣子表面，形成露珠后，對絕緣子進行腐蝕。

控制系統(tǒng)：控制整個試驗系統(tǒng)的開始、暫停和結(jié)束。

軟件功能：

1、 曲線顯示：實時顯示試驗電壓和電流曲線

2、 負載電流：實時顯示負載電流，過載保護

3、 上下限位：上下限位狀態(tài)指示燈

4、 試驗暫停：時間期間可以中斷試驗過程后，繼續(xù)開始試驗，累積記錄試驗總時長

5、 參數(shù)校準(zhǔn)：可以對電壓和電流參數(shù)進行校準(zhǔn)

6、 歷史數(shù)據(jù)：可以查詢歷史數(shù)據(jù)

7、 電子報告：可以保存電子報告

8、 數(shù)據(jù)導(dǎo)出：可以通過U盤接口導(dǎo)出數(shù)據(jù)

技術(shù)參數(shù)：

1、輸入電壓：AC-220V

2、輸出電壓：AC0～50KV，DC -50～0 KV可以調(diào)

3、電器容量：50KVA

4、電壓試驗精度：<2%

5、高壓側(cè)輸出電流： ≥1A

6、高壓側(cè)輸出電流：>250MA時，*電壓降<5%

7、電流測量精度：<1%

8、門限位開關(guān)：打開門后，電壓斷電并自動歸零

9、過流保護：可設(shè)定

10、試品離霧室頂?shù)拈g距：>400mm，

11、試品離墻的間距：>400mm

14、試品數(shù)量：水平1只，垂直1只

15、試驗時間：1000小時

16、噴霧方式：超聲波霧化器

17、試樣處的噴霧速度：3M/S

18、噴霧量為：（0.4±0.1）L/m3.H

19、霧室容積：4m3

20、噴霧液體： NaC1和去離子水配制好的鹽水

23、霧化顆粒：5μm-10μm

24、控制系統(tǒng)：嵌入式工業(yè)計算機

25、主機尺寸：長寬高=3400*1300*1800（MM）

26、設(shè)備重量：1500KG

對管狀試樣而言，合適的電極系統(tǒng)將取決于它的電容率、管壁厚度、直徑和所要求的測量精度。一般情況下，電極系統(tǒng)應(yīng)為一個內(nèi)電極和一個稍為窄一些的外電極和外電極兩端的保護電極組成，外電極和保護電極之間的間隙應(yīng)比管壁厚度小。對小直徑和中等直徑的管狀試樣，外表面可加三條箔帶或沉積金屬帶，中間一條用作為外電極（測量電極），兩端各有一條用作保護電極。內(nèi)電極可用，沉積金屬膜或配合較好的金屬芯軸。高電容率的管狀試樣，其內(nèi)電極和外電極可以伸展到管狀試樣的全度上，可以不用保護電極，大直徑的管狀或圓筒形試樣，其電極系統(tǒng)可以是圓形或矩形的搭接，并且只對管的部分圓周進行試驗。這種試樣可按板狀試樣對待，金屬箔、沉積金屬膜或配合較好的金屬芯軸內(nèi)電極與金屬箔或沉積金屬膜的外電極和保護電極一起使用。

使偏差在±(0.2%±0.005mm)以內(nèi)，測量點應(yīng)均勻地分布在試樣表面.必要時，應(yīng)測其有效面積。條件處理應(yīng)按相關(guān)規(guī)范規(guī)定進行。電氣測量按本標(biāo)準(zhǔn)或所使用的儀器(電橋)制造商推薦的標(biāo)準(zhǔn)及相應(yīng)的方法進行，在1MHz或更高頻率下，必須減小接線的電感對測量結(jié)果的影響.此時，新款絕緣子耐電蝕損實驗儀 漏電測試儀可采用同軸接線系統(tǒng)(見圖1所示)，當(dāng)用變電抗法測量時，應(yīng)提供一個固定微調(diào)電容器。試樣加有保護電極時其相對電容率勺可按公式(1)計算，沒有保護電極時試樣的被測電容C；相對電容率；沒有保護電極時試樣的電容；G——邊緣電容；Co——法向極間電容；G和G能從表1計算得來。必要時應(yīng)對試樣的對地電容、開關(guān)觸頭之間的電容及等值串聯(lián)和并聯(lián)電容之間的差值進行校正。

測微計電極間或不接觸電極間被測試樣的相對電容率可按表表3中相應(yīng)的公式計算得來。介質(zhì)損耗因數(shù)也海按照所用的測量裝置給定的公式，根據(jù)測出的數(shù)值來計算。在第5章和附錄A中所規(guī)定的精度是：電容率精度為±1%,介質(zhì)損耗因數(shù)的精度為士(5%士0.0005)。這些精度至少取決于三個因素：即電容和介質(zhì)損耗因數(shù)的實測精度；在較低頻率下，電容的測量精度能達士(0.1%±0.02pF),介質(zhì)損耗因數(shù)的測量精度能達±(2%士0.o在較高頻率下，其誤差增大，對于帶有保護電極的試樣，其測量精度只考慮極間法向真空電容時有計算誤差。但由被保護電極和保護電極之間的間隙太寬而引起的誤差通常大到百分之零點幾，而校正只能計算到其本身值的百分乏幾。

新款絕緣子耐電蝕損實驗儀 漏電測試儀