根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，2018年季的DRAM价格走势，除了图显内存(graphic DRAM)受惠于基期较低以及虚拟挖矿(cryptocurrency)需求的增温，带动价格有15%显著上涨外，其余各应用别的内存在季约有3-6%不等的季涨幅，今年季DRAM总营收较2017年第四季成长5.4%，再创新高。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出，观察第二季价格走势，PC-OEM厂已陆续议定第二季合约价格。就一线大厂定价来看，均价已来到34美元，较上一季平均涨幅约达3%。从市场面来观察，由于服务器需求较佳、毛利高、获利空间较大，一线DRAM大厂持续将产能转往服务器内存，加上DRAM产能将于年底才会逐渐开出，使得标准型记忆仍维持价格上扬格局。

观察DRAM大厂营收表现，三星依然稳坐DRAM产业的龙头，季营收再度创下历史新高，达103.6亿美元，较上季成长2.9%；SK海力士季营收达64.3亿美元，较前季成长2.2%，两大韩厂季的出货量受到手机需求疲弱影响皆略有下滑，营收分别为44.9%与27.9%，合计约73%，较前一季度微幅下降。

美光集团仍旧维持第三，不过美光在报价上相对积极，今年上半年持续扮演市场中的价格(price leader)，价格上涨幅度高于其他两家韩厂，季价格上扬幅度超过10%，带动营收达52.1亿美元，季增14.3%，较前一季提升约2个百分点，来到22.6%。

从利润率表现来看，三星季营业利润率再创历史新高，由64%提升至69%；SK海力士亦从第四季的59%再提升至61%，两家韩厂营业利润率双双突破6成；美光则从53%再度拉升至58%。展望第二季，受惠于DRAM价格持续上涨与制程转进强化成本效益，三大厂在营收表现上可望再创新高，各家获利率亦可望进一步提升。不过，以三星为例，其营业利润率高达69%意味着毛利率已突破8成水位，显示DRAM原厂获利能力已远高于买方能接受的程度，报价上扬幅度可能将趋缓。

观察技术面，三星今年的目标除了维持18nm制程高产出占比(约5-6成)，即将投入的平泽厂二楼DRAM产能，也将往下一代16nm制程转进。至于SK海力士，已于去年底开始导入18nm的生产，然进入1Xnm世代制程难度高、转换不易，SK海力士目前仍致力于提升其18nm的良率，其扩厂计划则维持不变，中国无锡新建的第二座12英寸厂仍照进度今年底前完工，要到2019上半年才会开始贡献产出。而美光方面，中国台湾美光内存(原瑞晶)17nm已完成99%转换，中国台湾美光晶圆科技(原华亚科)则于第二季开始进行20nm往17nm的转换，预计今年底将可望有半数产能转往17nm生产。

台系厂商部分，南亚科受到转进20nm带来明显的位元成长，加上价格持续走扬，季营收较前一季大幅成长15.1%。20nm的成本效益更带动营业利润率提升至44.3%，较上季成长5个百分点。展望未来，南亚科在20nm良率将继续向上，透过产品组合持续优化的带动，获利表现将可望进一步提升。

力晶科技方面，除了替晶豪科、爱普等IC设计厂商代工生意成长外，力晶本身DRAM事业的产品报价亦上扬，带动DRAM营收较上季成长8.2%；华邦方面DRAM营收则约略持平，季成长1.2%，主要为利基型内存报价成长幅度较小所致。