光有源器件,光有源器件的研究與開發(fā)本來是一個(gè)活躍的領(lǐng)域，在集成器件，垂直腔面發(fā)射激光器，窄帶響應(yīng)可調(diào)諧集成光子探測器，基于硅基的異質(zhì)材料的多量子阱器件與集成等方面有著重大的成就。（導(dǎo)讀：）

　　但由于前幾年已取得輝煌的成果，所以當(dāng)今的活動(dòng)空間已大大縮小。超晶格結(jié)構(gòu)材料與量子阱器件，目前已成熟，而且可以大批量生產(chǎn)，已商品化，如多量子阱激光器(MQW-LD，MQW-DFBLD)。

　　目前光有源器件已在下列幾方面取得重大成就：

　　1. 集成器件

　　這里主要指光電集成(OEIC)已開始商品化，如分布反饋激光器(DFB-LD)與電吸收調(diào)制器(EAMD)的集成，即DFB-EA，已開始商品化;其它發(fā)射器件的集成，如DFB-LD、MQW-LD分別與MESFET或HBT或HEMT的集成;接收器件的集成主要是PIN、金屬、半導(dǎo)體、金屬探測器分別與MESFET或HBT或HEMT的前置放大電路的集成。雖然這些集成都已獲得成功，但還沒有商品化。

　　2. 垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)

　　由于便于集成和高密度應(yīng)用，垂直腔面發(fā)射激光器受到廣泛重視。這種結(jié)構(gòu)的器件已在短波長(ALGaAs/GaAs)方面取得巨大的成功，并開始商品化;在長波長(InGaAsF/InP)方面的研制工作早已開始進(jìn)行，目前也有少量商品?？梢詳嘌裕怪鼻幻姘l(fā)射激光器將在接入網(wǎng)、局域網(wǎng)中發(fā)揮重大作用。

　　3. 窄帶響應(yīng)可調(diào)諧集成光子探測器

　　由于DWDM光網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)信道間隔越來越小，甚至到0.1nm。為此，探測器的響應(yīng)譜半寬也應(yīng)基本上達(dá)到這個(gè)要求。恰好窄帶探測器有陡銳的響應(yīng)譜特性，能夠滿足這一要求。集F-P腔濾波器和光吸收有源層于一體的共振腔增強(qiáng)(RCE)型探測器能提供一個(gè)重要的全面解決方案。

　　4. 基于硅基的異質(zhì)材料的多量子阱器件與集成(SiGe/Si MQW)

　　這方面的研究是一大熱點(diǎn)。，硅(Si)、鍺(Ge)是簡接帶源材料，發(fā)光效率很低，不適合作光電子器件，但是Si材料的半導(dǎo)體工藝非常成熟。于是人們?cè)O(shè)想，利用能帶剪裁工程使物質(zhì)改性，以達(dá)到在硅基基礎(chǔ)上制作光電子器件及其集成(主要是實(shí)現(xiàn)光電集成，即OEIC)的目的，這方面已取得巨大成就。在理論上有眾多的創(chuàng)新，在技術(shù)上有重大的突破，器件水平日趨完善。

常用光纜快速導(dǎo)航：、、、、、、、、、