電阻器作為運(yùn)用泛的電子元器件之一，在電子設(shè)備中使用數(shù)量很大，因而電阻器失效導(dǎo)致設(shè)備故障的比率也相當(dāng)高。特別是貼片精密薄膜電阻(以下簡(jiǎn)稱電阻)，因其工藝及結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)，近年來(lái)因濕熱導(dǎo)致阻值漂移甚至開(kāi)路的案例越來(lái)越多，厘清失效原因及機(jī)理，已成為迫切需要研究的課題。而傳統(tǒng)的40℃、90%RH和85℃、85%RH的溫/濕度偏壓試驗(yàn)方法(THB)需要花上千小時(shí)，已不能滿足當(dāng)今高時(shí)效性的需求。

PCT高壓蒸煮試驗(yàn)有結(jié)露現(xiàn)象，不能加偏壓，故需要進(jìn)一步改進(jìn)加速試驗(yàn)。HAST就是為代替?zhèn)鹘y(tǒng)的溫度/濕度試驗(yàn)而開(kāi)發(fā)的方法，目前在微電路及半導(dǎo)體分析中已得到廣泛的應(yīng)用。

本文將HAST應(yīng)用于電阻失效機(jī)理的研究和耐濕熱性能的評(píng)估中，展示了HAST在電阻失效分析中的實(shí)踐應(yīng)用，為電阻的工藝改進(jìn)及可靠性檢驗(yàn)提供了一套快速、有效的測(cè)試方法，對(duì)電阻品質(zhì)的改善與提升具有一定的指導(dǎo)意義。

分析背景

某產(chǎn)品客戶端失效，經(jīng)測(cè)試發(fā)現(xiàn)為電阻開(kāi)路所致。電阻規(guī)格：348KΩ±0.1%，額定功率：0.1W。電阻命名如表1。

分析原因

外觀觀察

先用實(shí)體顯微鏡(Olympus SZ61TR)對(duì)電阻保護(hù)層進(jìn)行外觀觀察，如圖1紅色框起處，A-NG陶瓷基體外露，保護(hù)層未覆蓋至邊緣。再用SEM(Hitachi S-3400N)對(duì)A-NG、A-OK邊緣保護(hù)層形貌進(jìn)行放大觀察，如圖1a、1b所示，A-NG保護(hù)層邊緣疏松粗糙。

去除保護(hù)層

先用有機(jī)溶劑去除電阻保護(hù)層，再用金相顯微鏡(Olympus BX51M)進(jìn)行觀察。如圖2a黃框所示，A-NG邊緣位置金屬膜缺失，用萬(wàn)用表對(duì)缺失膜兩端進(jìn)行電性確認(rèn)顯示開(kāi)路，故電阻失效的原因?yàn)榻饘倌と笔?。如圖2b所示，A-OK金屬膜完整，未見(jiàn)明顯異常。

原因探討

電阻是導(dǎo)體的一種基本性質(zhì)，與導(dǎo)體的材料、長(zhǎng)度、橫截面積和溫度有關(guān)。當(dāng)阻值為R時(shí)，可用公式R=ρL/S表示，其中L、S分別表示導(dǎo)體的長(zhǎng)度和截面積;ρ表示導(dǎo)體的電阻率，對(duì)某一電阻器而言，L、ρ是已經(jīng)確定的，阻值隨著S的變化而改變。金屬膜缺失使電阻S變小，從而導(dǎo)致電阻阻值偏大或開(kāi)路。

金屬膜缺失原因主要有：

(1)使用過(guò)程中過(guò)電應(yīng)力致使金屬膜熔損。(2)因濕熱、環(huán)境或電流(電壓)等因素，使原本存在的金屬膜遭受電解反應(yīng)而破壞、消失，此現(xiàn)象稱之為電蝕。

機(jī)理研究

為進(jìn)一步厘清失效真因和機(jī)理，模擬不同條件下的失效現(xiàn)象，論證失效機(jī)理。

(1) EOS試驗(yàn)

采用直流電源供應(yīng)器(Chroma 62024P-600-8)進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試電壓分別為600V、1000V，持續(xù)時(shí)間(5±1)s。

(2) HAST試驗(yàn)

采用高加速壽命試驗(yàn)箱(Hirayama PC-422R8D)進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試條件：溫度130℃、濕度85%RH、真空度0.12MPa、偏壓10V、時(shí)間96H。測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A110E。HAST的目的為評(píng)估電阻在高溫、高濕、偏壓的加速因子下，保護(hù)層與金屬膜對(duì)濕氣腐蝕抵抗的能力，并可縮短器件的壽命試驗(yàn)時(shí)間。

試驗(yàn)條件及結(jié)果見(jiàn)表2，EOS、HAST試驗(yàn)后電阻均出現(xiàn)阻值偏大或開(kāi)路的現(xiàn)象。

圖3為試驗(yàn)不良品去除保護(hù)層圖片，如圖3a、3b所示，EOS試驗(yàn)不良品金屬膜均有不同程度的熔損，電壓越大膜熔損越嚴(yán)重，阻值變化越大甚至開(kāi)路，此現(xiàn)象與A-NG金屬膜缺失現(xiàn)象不同。如圖3c所示，HAST試驗(yàn)不良品可見(jiàn)電阻邊緣位置金屬膜缺失，與A-NG失效現(xiàn)象一致，失效機(jī)理為電阻在高溫、高濕、直流負(fù)荷的作用下發(fā)生電蝕。

電蝕失效主要以薄膜電阻為主，常見(jiàn)的失效機(jī)理有2種：(1)在金屬膜沉積后，印刷保護(hù)層之前這段時(shí)間有雜質(zhì)污染，成品通電時(shí)造成電蝕。(2)保護(hù)層有外傷或覆蓋不好，雜質(zhì)和水汽進(jìn)入導(dǎo)致電蝕。

為進(jìn)一步研究失效機(jī)理，尋求改善方向，對(duì)以上2種失效機(jī)理進(jìn)行深入探討，選取A-原材、B-原材進(jìn)行結(jié)構(gòu)分析與比對(duì)。圖4為電阻的結(jié)構(gòu)圖，電阻的金屬膜是以Ni-Cr合金濺鍍沉積而成的薄膜，基板為氧化鋁，保護(hù)層材料為環(huán)氧樹(shù)脂。

雜質(zhì)污染檢測(cè)

當(dāng)陶瓷基體及金屬膜中含有K+、Na+、Ca2+、Cl-等雜質(zhì)時(shí)，電解作用加快，阻值迅速增加，失效速度加快。為驗(yàn)證A-NG金屬膜表面有無(wú)雜質(zhì)污染，對(duì)去除保護(hù)層后的金屬膜進(jìn)行EDX(HORIBA EX-250)成分分析，如圖5a、5b分別為缺失膜與正常膜區(qū)域的元素檢測(cè)結(jié)果，后者可見(jiàn)金屬膜Ni、Cr元素，未發(fā)現(xiàn)K+、Na+、Ca2+、Cl-等雜質(zhì)元素，排除金屬膜表面雜質(zhì)污染導(dǎo)致電蝕的猜測(cè)。

電阻保護(hù)層剖析

保護(hù)層外觀形貌觀察

用SEM對(duì)A-原材、B-原材保護(hù)層形貌進(jìn)行觀察，如圖6a紅色箭頭所示，A-原材保護(hù)層表面有大量孔洞。如圖6b所示，B-原材保護(hù)層表面均勻致密。

電阻保護(hù)層表面結(jié)構(gòu)觀察

金屬膜缺失位于邊緣位置，對(duì)電阻去除正面端電極后觀察其邊緣結(jié)構(gòu)。如圖7a紅色框所示，A-原材邊緣陶瓷基材外露。比對(duì)可知：A-原材、B-原材保護(hù)層邊緣結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不同，后者邊緣保護(hù)更充分。

電阻保護(hù)層內(nèi)部結(jié)構(gòu)觀察

對(duì)電阻進(jìn)行微切片制樣，用SEM觀察保護(hù)層內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)，再進(jìn)行EDS成分分析。如圖8a，A-原材保護(hù)層中間與兩端厚度差異明顯，中間局部可達(dá)62.64um，兩端厚度在10.58um~19.19um之間，內(nèi)部填充物顆粒粗大，其主要成份為C、O、Mg、Si。如圖8b，B-原材保護(hù)層相對(duì)較薄，中間與兩端無(wú)明顯差異，厚度約為32.75um，可見(jiàn)不同組分的兩層結(jié)構(gòu)，填充物顆粒細(xì)小，其主要成份分別為C、O、Al、Si和C、O、Mg、Al、Si、Cr、Mn、Cu。比對(duì)可知：A-原材保護(hù)層邊緣薄，且填充顆粒粗大，水汽易侵入，與失效發(fā)生在邊緣位置的現(xiàn)象相符。B-原材保護(hù)層結(jié)構(gòu)致密，且兩層結(jié)構(gòu)可更好的保護(hù)金屬膜免遭濕氣的侵入。

電阻HAST能力比對(duì)

選取A-原材、B-原材各10pcs進(jìn)行HAST試驗(yàn)，比對(duì)不同廠商電阻耐濕熱能力。把電阻焊接在測(cè)試板上，然后插入HAST試驗(yàn)箱，設(shè)置條件：130℃/85%RH/

0.12MPa/10V/96H。規(guī)格要求試驗(yàn)前后電阻的阻值變化率(ΔR/R)≤±(0.5%+0.05Ω)。測(cè)試結(jié)果如圖9所示，A-原材ΔR/R皆超出規(guī)格，其中1pcs測(cè)試開(kāi)路，B-原材ΔR/R皆滿足規(guī)格要求。測(cè)試結(jié)果表明，A-原材耐濕熱能力差，其結(jié)果與保護(hù)層比對(duì)結(jié)果相對(duì)應(yīng)。A-原材保護(hù)層存在孔洞及邊緣保護(hù)不到位等缺陷，在高溫、高濕的環(huán)境條件下，金屬膜容易被濕氣侵入，在電負(fù)荷作用下發(fā)生電蝕，從而導(dǎo)致阻值漂移或開(kāi)路。

本文從電阻失效分析著手，通過(guò)試驗(yàn)?zāi)M探尋失效機(jī)理，并通過(guò)不同廠家電阻比對(duì)尋求改善方向，得出如下結(jié)論：

結(jié)論

1) 電阻失效的原因?yàn)榻饘賹尤笔隆?o:p>

2) EOS、HAST試驗(yàn)結(jié)果顯示：A-NG失效現(xiàn)象與HAST試驗(yàn)失效樣品一致。失效機(jī)理為電阻在高溫、高濕、直流負(fù)荷的作用下發(fā)生電蝕。

3) 對(duì)A-NG缺失膜與正常膜區(qū)域成份進(jìn)行檢測(cè)，未發(fā)現(xiàn)K+、Na+、Ca2+、Cl-等雜質(zhì)元素，排除金屬膜表面雜質(zhì)污染導(dǎo)致電蝕的猜測(cè)。

4) 對(duì)比A、B廠商電阻，A廠商電阻保護(hù)層存在空洞及邊緣保護(hù)不到位等缺陷，容易被濕氣侵入。通過(guò)HAST比對(duì)電阻耐濕熱能力，進(jìn)一步印證以上結(jié)論。為有效的提高電阻的耐濕熱性能，建議從電阻保護(hù)層的工藝、厚度以及材質(zhì)方面加以改善：a.選擇填充顆粒細(xì)小的材料，減少濕氣進(jìn)入通道;b.調(diào)整保護(hù)層的厚度，使中間與邊緣厚度相對(duì)均勻;c.使用耐濕熱的保護(hù)材料。