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高穩(wěn)10M晶振設(shè)計思路

2025年06月16日 10:10:35      來源:深圳市億晶振業(yè)電子有限公司 >> 進(jìn)入該公司展臺      閱讀量:9

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我們常見的晶振有27M晶振、65.536M晶振、100M晶振、16M晶振、125M晶振、85M晶振、8M晶振、12M晶振,晶振的主要特性之一是工作溫度內(nèi)的穩(wěn)定性,它是決定振蕩器價格的重要因素。穩(wěn)定性愈高或溫度范圍愈寬,器件的價格亦愈高。今天本文給出了高穩(wěn)10M晶振的設(shè)計方案,大家可以參考一下。
  主要目標(biāo):10MHZ晶振,1HZ相噪-110~-120,秒穩(wěn)5E-13~1E-12
  原理框圖如下:

  主要思路:
  1.  我認(rèn)為首先要去除電路的噪聲,保證晶體的高Q值能得到發(fā)揮,套用一句廣告詞:"留住最真的".電路的噪聲有2個方面,電源引入波動/噪聲和電路自身的噪聲,因此擬采用2次穩(wěn)壓電路,2次濾波電路。對外部電源的波動,先用一次LDO穩(wěn)壓,輸出供內(nèi)部核心電路使用,包括內(nèi)槽恒溫控制電路也使用此穩(wěn)壓。再對所有RF電路進(jìn)行2次穩(wěn)壓,并結(jié)合有源濾波,對10HZ以上的噪聲進(jìn)行衰減濾除。最后還要對主振級電路進(jìn)行超低頻低通濾波,截止頻率希望做到0.1Hz,以保證近端相位噪聲的純凈。
  2.  使用高Q值低老化晶體,但晶體Q值不可能無限高,據(jù)說BVA的晶體很好,但市場上買不到,也是白搭。一個做法就是減小晶體的激勵和接入系數(shù),提高有載Q值。還有所謂的Q值倍增法,很多文章書上討論過,但從公布的測試數(shù)據(jù)看,并不比現(xiàn)有的技術(shù)做得更好,實際應(yīng)用中也很少見到。不過既然理論計算是對的,那就應(yīng)該有可取之處,我準(zhǔn)備試試看。
  3.  ALC電路控制輸出幅度,這個或許可以不要。
  4.  多級緩沖,保證輸出幅度,減小負(fù)載效應(yīng),同時又控制引入的噪聲,這個比較困難。
  5.  使用晶體濾波器輸出,對10KHz以上的噪聲濾一下,改進(jìn)遠(yuǎn)端相噪,作為可選項目。
  6.  使用雙層恒溫及較厚的殼體,提高對快速環(huán)境溫度變化的適應(yīng)性,但縮短了工作溫度范圍,提高了尺寸和功耗,延長了開機時間,不過這對做標(biāo)準(zhǔn)用的高溫晶振應(yīng)該不是大問題。
  7.  考慮電磁屏蔽和減振,以減小這方面可能造成的影響。


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