實(shí)際上，所有晶體元件的頻率都在一定程度上隨激勵(lì)電平變化而變化(微量變化)，一般來(lái)說(shuō)，AT切晶體的頻率會(huì)隨激勵(lì)電平增大而略有升高。過(guò)高的激勵(lì)電平會(huì)導(dǎo)致諧振器溫度特性的畸變，并激活寄生模。過(guò)高的激勵(lì)使晶體發(fā)熱和應(yīng)力過(guò)大，從而產(chǎn)生不可逆的頻率漂移。
非常低的激勵(lì)電平（數(shù)微瓦或更低）下，晶體元件的諧振電阻可能比在額定激勵(lì)電平下電阻值高很多，以致使振蕩器越振越困難。這種效應(yīng)經(jīng)過(guò)一段非工作狀態(tài)的貯存后會(huì)加劇，這就是激勵(lì)電平相關(guān)性（DLD）。因此，晶體在電路中實(shí)際使用的激勵(lì)電平不應(yīng)過(guò)大和過(guò)小。
下面是IEC推薦的激勵(lì)功率的常用值。
2mw、1mw、0.1mw（100μw）、0.05mw（50μw）、0.02mw（20μw）、0.01mw（10μw）、0.001 mw(1μw)
優(yōu)選值 5MHz以下 500μw，以上一般 100μw。
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