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晶振的串聯(lián)電路解釋

2025年06月16日 08:50:07      來源:深圳市億晶振業(yè)電子有限公司 >> 進(jìn)入該公司展臺      閱讀量:5

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晶振一般采用電容三端式(考畢茲) 交流等效振蕩電路;實際的晶振交流等效電路,其中Cv是用來調(diào)節(jié)振蕩頻率,一般用變?nèi)荻O管加上不同的反偏電壓來實現(xiàn),這也是壓控作用的機理;把晶體的等效電路代替晶體后其中串聯(lián)電路就會是晶體的等效電路。
分析整個振蕩槽路可知,利用Cv來改變頻率是有限的:決定振蕩頻率的整個槽路電容C=Cbe,Cce,Cv三個電容串聯(lián)后和Co并聯(lián)再和C1串聯(lián)??梢钥闯觯弘妷涸叫?,振蕩越大,Cv變化時對整個槽路電容的作用就越小。因而能“壓控”的頻率范圍也越小。實際上,由于C1很小(1E-15量級),Co不能忽略(1E-12量級,幾PF)。所以,Cv變大時,降低槽路頻率的作用越來越小,Cv變小時,升高槽路頻率的作用卻越來越大。這一方面引起壓控特性的非線性,壓控振蕩器范圍越大,非線性就越厲害;另一方面,分給振蕩的反饋電壓(Cbe上的電壓)卻越來越小,最后導(dǎo)致停振。
采用泛音次數(shù)越高的晶振,其等效電容C1就越??;因此頻率的變化范圍也就越小。     

晶振的指標(biāo)

      總頻差:在規(guī)定的時間內(nèi),由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標(biāo)稱頻率的偏差。

      說明:總頻差包括頻率溫度穩(wěn)定度、頻率老化率造成的偏差、頻率電壓特性和頻率負(fù)載特性等共同造成的頻差。一般只在對短期頻率穩(wěn)定度關(guān)心,而對其他頻率穩(wěn)定度指標(biāo)不嚴(yán)格要求的場合采用。

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