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IGBT和替換品碳化硅到底是什么?

2025年05月09日 10:37:58      來(lái)源:北京健科芯坤科技有限公司 >> 進(jìn)入該公司展臺(tái)      閱讀量:7

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一直以來(lái),很多人都認(rèn)為新能源汽車(chē)的關(guān)鍵是電池,甚至“三電”之中,電池始終排在**位,但事實(shí)上,新能源汽車(chē),尤其是中國(guó)新能源汽車(chē)發(fā)展*有提升空間的,當(dāng)屬驅(qū)動(dòng)電機(jī)。

2018年12月16日,在中國(guó)電動(dòng)汽車(chē)百人會(huì)論壇媒體吹風(fēng)會(huì)上,中國(guó)電動(dòng)汽車(chē)百人會(huì)執(zhí)行副理事長(zhǎng)歐陽(yáng)明高院士結(jié)合《“十三五”新能源汽車(chē)重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)》年度總結(jié),介紹了有關(guān)新能源汽車(chē)技術(shù)的發(fā)展情況,在驅(qū)動(dòng)電機(jī)方面,歐陽(yáng)明高指出:碳化硅將取代IGBT

等等,IGBT是什么?碳化硅又是什么? 與驅(qū)動(dòng)電機(jī)是什么關(guān)系?

IGBT是什么?

發(fā)明于上個(gè)世紀(jì) 80 年代初的IGBT,學(xué)名絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是的電力電子技術(shù)第三次*具代表性的產(chǎn)品。

形象地說(shuō),IGBT是一個(gè)控制電能的上等開(kāi)關(guān),能決定整車(chē)的能源效率;簡(jiǎn)單點(diǎn)理解,它就是電力電子行業(yè)里的“CPU”。

一般而言,IGBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半,而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)占整車(chē)成本的15-20%,也就是說(shuō),IGBT占整車(chē)成本的7-10%,是除電池之外成本*貴的部件。

不僅電機(jī)驅(qū)動(dòng)要用IGBT,新能源的發(fā)電機(jī)和空調(diào)部分也需要IGBT。不僅是新能源汽車(chē),直流充電樁和機(jī)車(chē)(高鐵)的核心也是IGBT管,直流充電樁30%的原材料成本就是IGBT。

中國(guó)IGBT發(fā)展

這么重要的高科技,在中國(guó)是怎么樣的呢?

如你所料,長(zhǎng)期以來(lái),IGBT的核心技術(shù)都掌握在歐美和日韓手里。為了實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破,“十二五”期間國(guó)家16個(gè)重大技術(shù)突破專(zhuān)項(xiàng)中,排在**位的就是IGBT。

2008年,中車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司收購(gòu)了世界上*早進(jìn)行IGBT技術(shù)研發(fā)的英國(guó)丹尼克斯半導(dǎo)體公司75%的股權(quán)。

2009年9月,比亞迪IGBT芯片通過(guò)了中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)組織的科技成果鑒定。

2014年,中車(chē)株洲所造出了具有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的8英寸IGBT芯片,從此中國(guó)高鐵和新能源汽車(chē)開(kāi)始有了“中國(guó)心”。

2015年,中車(chē)IGBT變流器**出口海外,拿到了印度100輛機(jī)車(chē)的訂單。

2018年3月,中車(chē)時(shí)代電氣IGBT模塊擊敗國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,再次獲得印度1000只訂單。

除了印度、中車(chē)自主的IGBT芯片還在馬來(lái)西亞;在俄羅斯、意大利及中歐市場(chǎng)有了小批量訂單。

2018年12月10日,比亞迪發(fā)布了IGBT4.0技術(shù),據(jù)介紹,該產(chǎn)品具有更大的輸出功率、更小的綜合損壞,更高的可靠性,以及更長(zhǎng)的使用壽命。

中外IGBT差距

正因?yàn)橛辛酥熊?chē)、比亞迪和眾多企業(yè)堅(jiān)持不懈的攻關(guān)和研發(fā),中國(guó)IGBT關(guān)鍵核心器件已經(jīng)被攻克,而且不斷上升,據(jù)歐陽(yáng)明高院士介紹:到2018年,大約40%的IGBT來(lái)自中國(guó)企業(yè)。

但實(shí)際上,我們的差距還是比較明顯的。中國(guó)IGBT的發(fā)展之路勢(shì)必充滿荊棘。

據(jù)2016年國(guó)際調(diào)研機(jī)構(gòu)公布的報(bào)告,德國(guó)英飛凌以24.5%的份額居,日本三菱電機(jī)以24.4%的份額位列**,富士電機(jī)(FujiElectric)以12.2%的占有率奪得季軍。

此外,日本的日立、東芝,美國(guó)的仙童、歐洲的賽米控(西門(mén)康)、ABB等都在國(guó)際上排名靠前。中車(chē)大概位列第十名左右。

那么,我們的IGBT和的IGBT相比,差距在哪里呢?

首先,從技術(shù)、工藝、效率、材料等多個(gè)方面,我們都還是有明顯不足的。舉例來(lái)說(shuō),比亞迪有自己的IGBT,比亞迪經(jīng)濟(jì)型車(chē)使用的是自有的IGBT,但優(yōu)異車(chē)型會(huì)采用進(jìn)口產(chǎn)品,因?yàn)檫M(jìn)口產(chǎn)品電耗會(huì)更低一點(diǎn)。

具體點(diǎn)說(shuō),IGBT的技術(shù)關(guān)鍵有兩點(diǎn),一是散熱,二是背板工藝。而其中*關(guān)鍵的材料科學(xué),是中國(guó)的薄弱點(diǎn),日本的項(xiàng)。

IGBT的下一代SiC(碳化硅)

日本更的技術(shù)是碳化硅。

豐田曾經(jīng)公開(kāi)表示:SiC具有與汽油發(fā)動(dòng)機(jī)同等的重要性。從上世紀(jì)80年代開(kāi)始,豐田就在研究SiC,比國(guó)際同行提前30年。

是什么原因讓豐田這么重視碳化硅呢?畢竟目前SiC材料的成本據(jù)估算是IGBT的8-10倍。

因?yàn)樘蓟枋且粋€(gè)更的做控制器的電力電子芯片,可以通過(guò)大幅度提高電機(jī)的轉(zhuǎn)速實(shí)現(xiàn)電機(jī)比功率的升高,它的頻率和效率可以做到很高、體積可以非常小,比現(xiàn)在的IGBT要減少大概70—80%。

參照美國(guó)能源部2025年目標(biāo),電機(jī)的功率密度是50千瓦/升,碳化硅控制器是100千瓦/升。

碳化硅還具有在高頻率時(shí)損耗低的優(yōu)勢(shì),能將車(chē)輛的效率再提高10%左右,這還意味著續(xù)航里程可以得到同樣的提升,電池成本有可能大幅下降。

在應(yīng)用方面,特斯拉Model3使用的控制器就是碳化硅,比亞迪也宣布已投入巨資布局第三代半導(dǎo)體材料SiC。此外,國(guó)內(nèi)還有多家團(tuán)隊(duì)開(kāi)始產(chǎn)業(yè)化。

估陽(yáng)明高院士估計(jì),到2025年會(huì)碳化硅將取代IGBT。這個(gè)時(shí)間表,中國(guó)將與世界同步。

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