新潔能致力于推廣性能**、質(zhì)量穩(wěn)定并且**價格競爭力的全系列MOSFET產(chǎn)品。我們?yōu)殡娐吩O(shè)計師們提供**的產(chǎn)品選擇，擊穿電壓覆蓋-200V至300V，配合的封裝技術(shù)，為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。我們專注于持續(xù)改進MOSFET在電能轉(zhuǎn)換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度以及在苛刻環(huán)境下開關(guān)過程中的抗沖擊雪崩耐量，實現(xiàn)快速、平穩(wěn)的電源管理及電能轉(zhuǎn)換。

通過采用的溝槽柵工藝技術(shù)和電流通路布局結(jié)構(gòu)，新潔能MOSFET實現(xiàn)大幅度降低電流傳導(dǎo)過程中的導(dǎo)通損耗。同時，電流在芯片元胞當(dāng)中的流通會更加均勻穩(wěn)定；應(yīng)對于高頻率的開關(guān)應(yīng)用，我們?yōu)樵O(shè)計師們提供低開關(guān)損耗的系列產(chǎn)品（產(chǎn)品名稱后加標(biāo)C），其有效降低了柵極電荷（Qg），尤其是柵極漏極間的電荷（Qgd），從而在快速開關(guān)過程中降低開關(guān)功率損耗。

應(yīng)對于半橋/全橋、AC/DC電源的同步整流以及其它需要反向續(xù)流的應(yīng)用終端，我們的MOSFET著重優(yōu)化了Body Diode，在提高和加快反向續(xù)流能力的同時，降低反向恢復(fù)過程中的峰值電流（Irm）和電壓（Vrm）。

新潔能結(jié)合的封裝技術(shù)將MOSFET功率、電流和可靠性提升至新的高度，我們推出TO-220H封裝外形（產(chǎn)品名稱后加標(biāo)H），有效地增加了用戶在電路板裝配MOSFET的工作效率，并降低了成本。

• Auto MOSFET

   12-300V N-Channel Automotive MOSFET 12-150V P-Channel Automotive MOSFET

• 12-300V N MOSFET

   12-200V N-Channel Trench MOSFET 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET 30-120V N-Channel SGT-II MOSFET

• 12-150V P MOSFET

   12-150V P-Channel Trench MOSFET 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET

• 500-1050V N MOSFET

   500-800V N-Channel SJ-III MOSFET 600-650V N-Channel SJ-III TF MOSFET 500-650V N-Channel SJ-IV NF MOSFET 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET

• 12-300V NP MOSFET

   Complementary MOSFET Dual N and P-Channel MOSFET Half-bridge N-Channel MOSFET

SGT-II MOSFET

SGT-I MOSFET

SGT雙芯MOSFET

SGT半橋MOSFET

Trench MOSFET

Trench雙芯MOSFET

Trench半橋MOSFET

Super-Junction MOSFET

IGBT

PIM模塊