-引言-

為獲得HiPIMS的高離化率-高沉積速率技術(shù)特征，我們在研究中提出一種新型的HiPIMS放電模式，即電-磁場協(xié)同增強HiPIMS技術(shù)，該技術(shù)以外置電場和磁場雙場協(xié)同增強常規(guī)HiPIMS放電，增加濺射粒子離化率，改善薄膜的的沉積速率，制備的膜層性能優(yōu)異。

-點睛-

（E-MF）HiPIMS技術(shù)具有更高的系統(tǒng)粒子離化率和等離子體密度，極大促進成膜粒子的擴散性和流動度，利于制備出光滑平整的薄膜，有效的降低了摩擦系數(shù)。

-內(nèi)容-

相比HiPIMS制備的CrAlN薄膜，采用（E-MF）HiPIMS技術(shù)獲得的CrAlN薄膜表面更加光滑、平整、致密，并且膜層表面無明顯凹坑與凸起等缺陷。

圖1 薄膜的表面形貌及表面粗糙度

AFM二維形貌圖導(dǎo)出的薄膜表面粗糙度僅為4.123nm，遠小于常規(guī)HiPIMS條件下的薄膜表面粗糙度8.766nm，表現(xiàn)為高質(zhì)量優(yōu)質(zhì)膜層。

圖2 不同情況下摩擦因數(shù)及磨痕形貌

（E-MF）HiPIMS技術(shù)的放電脈沖電流較大，基體離子束流能量密度更高，所制備的薄膜更加光滑、平整、致密，有利于獲得高硬耐磨硬質(zhì)薄膜。具有更加致密緊實的內(nèi)部結(jié)構(gòu)組織，有利于獲得更加優(yōu)異的耐腐蝕性能。

-結(jié)論-

1.新HiPIMS放電模式技術(shù)制備的薄膜表面更加光滑，表面粗糙度僅為4.123nm。

2.新HiPIMS放電模式技術(shù)制備薄膜樣品的摩擦因數(shù)顯著降低，也有著很好的耐腐蝕性能。

-參考文獻-

李春偉,田修波.電-磁場協(xié)同增強HiPIMS技術(shù)的CrAl靶放電行為及CrAlN薄膜制備[J].中國表面工程,2022,35(05):155-162.