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采用同步整流技術(shù)的高頻開關(guān)鋁氧化電源

2025年01月17日 08:25:05      來源:中山市科雄電源科技有限公司 >> 進入該公司展臺      閱讀量:13

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關(guān)鍵詞:鋁氧化電源;氧化電源;高頻開關(guān)電源

 

1. 概述

 

隨著工業(yè)生產(chǎn)技術(shù)及需求的提高,鋁及鋁合金材料經(jīng)電化學處理后的應(yīng)用日益普遍地應(yīng)用于工業(yè)、建筑、軍事等各領(lǐng)域中,其中鋁型材氧化處理工藝過程中,氧化電源是其重要設(shè)備。從氧化電源的發(fā)展過程經(jīng)歷了感應(yīng)調(diào)壓器(或飽和電抗器)加整流變壓器及二極管整流器、整流變壓器加晶閘管整流器、高頻開關(guān)電源等多種方案。

 

從電源的輸出波形來看,有恒定直流電源、脈沖電源。不同類型的電源在體積、成本、效率方面以及對產(chǎn)品質(zhì)量的影響成為極為關(guān)鍵的因素。

 

由于硬質(zhì)氧化處理工藝過程中,電源長期處于低電壓、大電流輸出狀態(tài),電源的功耗很高,其消耗的電能極為龐大,屬于高耗能產(chǎn)業(yè),因此電源的效率是影響生產(chǎn)成本的重要因素。早期的感應(yīng)調(diào)壓器(或飽和電抗器)加整流變壓器及二極管整流器、整流變壓器加晶閘管整流器方案由于存在體積龐大的工頻變壓器,使電源體積、重量較大。

 

在低壓大電流工作狀態(tài)下,變壓器、電抗器及晶閘管等元件的損耗較高,使系統(tǒng)整體的效率較低。隨著銅、鐵等原料資源的日趨緊張,裝置的整體造價不斷上升;此外裝置控制精度低,工藝過程缺乏科學合理的控制手段,也造成大量的電能損耗。

 

高頻開關(guān)電源在鋁型材氧化領(lǐng)域的應(yīng)用近十幾年來得到迅速發(fā)展,隨著電力半導體器件的進步,高頻開關(guān)電源的輸出功率已可以滿足該領(lǐng)域大功率輸出的要求,由于采用了高頻變換、高頻變壓器及低壓降的肖特基二極管整流電路,取消了笨重工頻變壓器,使電源的體積和重量大幅度降低,同時電源的效率也得到了一定的提升。

 

同時由于采用高頻開關(guān)變換,控制周期和延時大幅度縮短,輸出波形的控制精度比傳統(tǒng)電源大大提高,特別是在脈沖電源領(lǐng)域(尤其是脈沖頻率較高的應(yīng)用),成為主要的技術(shù)方案。

 

在高頻開關(guān)電源的輸出整流電路中,通常采用低壓降的肖特基二極管以降低該電

 

路產(chǎn)生的功率損耗,但由于鋁型材氧化處理工藝過程中,電源長期處于低電壓、大電流輸出狀態(tài),高頻整流電路的損耗仍然是電源損耗的主要部分,以輸出額定電壓為22V的鋁氧化電源為例,該部分的損耗通常會占電源總損耗的近40%,若考慮電解銅箔電源7V的輸出額定電壓,則比例更將增加至約60%。因此降低該電路的功率損耗是提高電源效率的重要途徑之一。

 

同步整流技術(shù)是采用電力場效應(yīng)晶體管(MOSFET)代替肖特基二極管完成高頻交流變直流的整流過程。該技術(shù)在小功率的計算機及其他信息電子設(shè)備電源中早已得到廣泛應(yīng)用,但由于器件的承受電流能力及性能的制約,一直未能在大功率的電源領(lǐng)域得到應(yīng)用。

 

隨著半導體器件技術(shù)的進步,同步整流技術(shù)已逐步在電鍍電源、銅箔電解電源等低壓大電流電源領(lǐng)域得到應(yīng)用,對電源效率獲得了顯著的提升,大大降低了能源的消耗,提高了生產(chǎn)企業(yè)的經(jīng)濟效益。

 

2. 采用同步整流技術(shù)的高頻開關(guān)電源結(jié)構(gòu)及工作原理

 

高頻開關(guān)電源采用交流-直流-高頻交流-直流的多次變換過程,其典型的能量變換過程如圖1所示。其中高頻逆變電路采用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)或電力場效應(yīng)晶體管(MOSFET)將由工頻交流電整流獲得的直流電轉(zhuǎn)變?yōu)?5kHz至上百kHz的高頻交流電,經(jīng)高頻變壓器變壓、二極管整流后變?yōu)橹绷麟?,再?jīng)電感、電容濾波輸出平滑的直流。

 

在鋁表面氧化等低壓大電流輸出的電源中,由于輸出功率大,高頻逆變電路多采用IGBT元件,工作頻率一般為15-20kHz。為降低高頻整流電路中二極管的壓降,多采用肖特基二極管為整流元件。圖2為一典型的鋁表面氧化電源的主電路結(jié)構(gòu)圖。

 

同步整流技術(shù)是為了減小高頻整流二極管的通態(tài)壓降,而采用MOSFET替代肖特基二極管,其電路結(jié)構(gòu)如圖3所示。其工作原理為:在需要對應(yīng)的器件開通時,由控制電路給MOSFET施加驅(qū)動信號,利用低電壓MOSFET具有非常小的導通電阻的特點,因此可以極大的降低整流電路的導通損耗,從而達到很高的效率。


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