碳化硅(SiC)具有半導(dǎo)性和良好的導(dǎo)熱性，近年來被應(yīng)用于邊界層陶瓷電容器領(lǐng)域，通過控制邊界層的成分和結(jié)構(gòu)，可以成功制備出高介電常數(shù)的SiC基邊界層陶瓷電容器，其高溫段的介電常數(shù)遠高于傳統(tǒng)的鈦酸鹽類介電材料，具有廣闊的應(yīng)用前景。對SiC陶瓷電容器的前期研究結(jié)果發(fā)現(xiàn)，其高介電常數(shù)出現(xiàn)在高溫區(qū)；由于邊界層結(jié)構(gòu)的影響，其介質(zhì)損耗非常高。因此，如何降低SiC電容器的介質(zhì)損耗是今后該領(lǐng)域研究的一個重點。為了解決這些問題，熱壓燒結(jié)爐需要選擇合適的第二相，降低SiC電容器的介質(zhì)損耗，改善介電常數(shù)的溫度穩(wěn)定性。

Ramirez和Subramanian等人發(fā)現(xiàn)具有類鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的CaCu3Ti4O12(CCTO)具有優(yōu)異的介電性能。在100～600 K的溫度范圍內(nèi)具有很高的介電系數(shù)，并且?guī)缀鹾愣ú蛔?，沒有發(fā)現(xiàn)有相變發(fā)生，這是鐵電或弛豫材料都難以達到的。由于的介電常數(shù)，CCTO被譽為“巨介電性能”材料。此外，CCTO還具有介質(zhì)損耗較低、制備工藝簡單、燒結(jié)溫度低等優(yōu)點，引起材料工作者的極大興趣。但是CCTO介電性能對制備過程很敏感。不同工藝條件制得的樣品的介電常數(shù)差別很大，進一步研究發(fā)現(xiàn)，CCTO內(nèi)部缺陷和晶粒尺寸大小對其介電性能影響都比較大。D．Capsoni等研究了摻雜和CuO偏析對CCTO電輸運和介電性能的作用，通過Fe、Ni、Co取代Ti位和CuO偏析，可以使純CCTO試樣晶界層的介電性大大提高，而晶體的體電容率受摻雜物的影響很小(90≤ξ1≤180)，這表明其高介電性是由于晶界層的作用。他們指出：在空氣中，通過中溫(1323℃)固相反應(yīng)，就可以制得內(nèi)部阻擋層的CCTO電容器材料，通過選擇合適的摻雜物，可以有效提高CCTO的介電性能。

CCTO在常溫時就具有的介電常數(shù)，而且具有優(yōu)異的溫度獨立性，沒有相變發(fā)生，CCTO的介電損耗較低，若使SiC與CCTO復(fù)合，制得SiC/CCTO復(fù)合陶瓷電容器，則有望獲得在低溫范圍和高溫范圍都具有介電常數(shù)的陶瓷電容器。

熱壓燒結(jié)爐