納米氧化鋅材料光學特性的研究歷史可以追溯到1950年代，但是直到1997年，日本和香港的科學家才在室溫下實現(xiàn)了光泵浦的Zn0薄膜紫外激光器，從而重新研究了ZnO材料的光學特性。該材料的光學性質(zhì)。它引起了人們的關(guān)注，并迅速成為半導體激光器件研究中的國際新熱點。當前的研究正在朝著諸如紫外線，藍色和綠色的各種波長的發(fā)光器件的發(fā)展方向發(fā)展。研究表明，Zno發(fā)光可分為兩類：近帶邊緣紫外發(fā)射（NBE）和深能級發(fā)射（DI。）。紫外線（UV）發(fā)射的機理已被認為是從近導帶到價帶的激子躍遷。其中，紫外線發(fā)射峰是ZnO的激子發(fā)射?？梢姽獍l(fā)射中心仍然有很多爭議。認為可見光發(fā)射來自不同的缺陷和雜質(zhì)。其中，缺陷發(fā)光包括點缺陷發(fā)光（例如氧空位，zn空位，氧間隙，Zn間隙和氧反轉(zhuǎn)）和結(jié)構(gòu)缺陷發(fā)光（例如晶格失配，晶界和晶粒取向等）。通常認為光是由表面缺陷引起的過渡發(fā)光。藍光被認為是由整體缺陷引起的過渡發(fā)光。

        納米氧化鋅材料在發(fā)光器件中的應用

        由于其高效率和節(jié)能特性，發(fā)光二極管可以成為替代傳統(tǒng)白熾燈和熒光燈的新一代光源。 Zn0是繼GaN之后前途的光電材料。如何將一維ZnO納米材料更好地應用于發(fā)光二極管領(lǐng)域成為當前研究的熱點。目前，已經(jīng)實現(xiàn)了室溫下ZnO納米線，納米帶等的紫外光發(fā)射。西北大學材料研究中心已經(jīng)在室溫下準備了近紫外泵浦光子晶體激光器。長春光學精密機械與物理研究所激發(fā)態(tài)國家重點實驗室研究組已經(jīng)在藍寶石襯底上制備了Zn（）發(fā)光二極管。許衛(wèi)中L“ -I用M（）OVD方法成功制備了具有典型二極管整流IV特性的Zn（）均質(zhì)LED，其導通電壓約為2.3V。最近，郭洪輝采用了電化學方法。納米棒發(fā)光二極管的發(fā)光效率，用于調(diào)節(jié)一維納米ZnO材料的電致發(fā)光光譜；制備r Zn（）納米棒膜，ZnO納米棒和聚3-甲基methyl烯復合膜以及Zn（）納米棒與CuS（2N）分別構(gòu)建了復合膜和納米管膜，ZnO納米棒發(fā)光二極管，ZnO納米管發(fā)光二極管和納米棒發(fā)光二極管，研究了它們的電致發(fā)光性能和自發(fā)光特性。

        ZnO材料場致發(fā)光研究

        在研究Zn（）同質(zhì)結(jié)器件時，還實現(xiàn)了電致發(fā)光。據(jù)報道。日本研究人員已經(jīng)使用由均質(zhì)p-n結(jié)制成的半導體激光器實現(xiàn)了藍色紫外電致發(fā)光。 2008年，加利福尼亞大學Chu等人。在Zn襯底上使用ZnO和Mg（）Zn（）量子阱結(jié)構(gòu)制備了基于Zn（）的I。 D，并在室溫下實現(xiàn)了低閾值的激光發(fā)射。該裝置的成功制備使人們看到了納米氧化鋅發(fā)光管和電動泵浦激光器的廣闊發(fā)展前景。 2“。為了全面研究ZnO納米棒的異質(zhì)結(jié)電致發(fā)光并改善其高肩亮電壓，低亮度和不純光譜等缺點= 2”，Peng Zhi 2釓使用高分子材料MEH-PPV和ZnO納米棒陣列形成了納米材料和有機物的復合系統(tǒng)，獲得了理想的380nm紫外電致發(fā)光和580hm的一些背景光。分析了不同電壓下紫外光發(fā)射和背景光影響的原因。目前，許多研究小組一直在研究Zn（）在固態(tài)照明中的應用。 ZnO發(fā)光仍在使用光泵浦。 ZnO UV電致發(fā)光的研究仍然具有挑戰(zhàn)性。