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日本東北大學(xué)、日本制鋼所公司和三菱化學(xué)公司合作,開發(fā)出了可量產(chǎn)直徑2英寸以上的氮化鎵單晶基板的低壓酸性氨熱(LPAAT)法。通過實(shí)現(xiàn)低壓晶體生長(zhǎng),能以相對(duì)較小的晶體生長(zhǎng)爐量產(chǎn)大型晶體。利用LPAAT法在基于SCAAT法的氮化鎵籽晶上制作的2英寸長(zhǎng)氮化鎵單晶基板,具有晶體鑲嵌性低(對(duì)稱面和非對(duì)稱面的X射線搖擺曲線半值寬度在28秒內(nèi))、基板幾乎沒有曲翹(曲率半徑約為1.5公里)的良好晶體結(jié)構(gòu)特性。